Tecnología e Inversión · Evidencia contrastada

Samsung y ASML amplían su alianza para fabricar chips con litografía High NA EUV

Samsung se une a la iniciativa de ASML para desarrollar fotomáscaras de mayor tamaño, clave para la litografía High NA EUV. La transición desde el formato actual busca aumentar la productividad y reducir costos en la fabricación de semiconductores avanzados.

Por ViaMind Radar · Publicado 28.09.2026 · 13:01

Fuente: ASML · Ver original ↗

Ilustracion contextual ViaMind · no es fotografia del hecho

Lo reportado

Según ASML, Samsung Electronics y ASML anunciaron el 8 de septiembre de 2026 una expansión de su colaboración estratégica en litografía High NA EUV y tecnologías avanzadas de fabricación de semiconductores.

Samsung se unirá a la iniciativa de la industria para avanzar en la tecnología de fotomáscaras de mayor tamaño. ASML señala que la industria ha usado el formato actual durante décadas y que la transición a máscaras más grandes con High NA EUV podría aumentar la productividad de las fábricas, reducir costos y eliminar restricciones de unión.

ASML destaca que Samsung planea adoptar High NA EUV para la futura fabricación de DRAM, lo que sería la primera vez en la industria. La compañía coreana aprovechará su liderazgo en memoria y fundición para desempeñar un papel clave en la transición a fotomáscaras de mayor tamaño.

Estado de evidencia: ViaMind comprobó que las afirmaciones materiales publicadas están respaldadas por la evidencia enlazada. Esto no implica confirmación independiente de los hechos.

Mirada ViaMind

La alianza posiciona a Samsung como pionero en la próxima generación de litografía, pero su impacto real dependerá de la ejecución y de si la transición a máscaras de mayor tamaño cumple las promesas de productividad y costos.

La alianza entre Samsung y ASML no es solo una extensión de una relación comercial: es una apuesta conjunta por estandarizar la próxima generación de litografía. Al unirse a la iniciativa de fotomáscaras de mayor tamaño, Samsung ayuda a definir la infraestructura que necesitarán todos los fabricantes de chips avanzados, no solo sus propias fábricas.

El movimiento tiene una lógica competitiva clara. Samsung busca asegurar acceso temprano y experiencia con High NA EUV, una tecnología que ASML controla casi en exclusiva. Si la transición a máscaras más grandes reduce costos y elimina restricciones, Samsung podría ganar ventaja en DRAM y fundición frente a rivales como TSMC y SK Hynix.

Sin embargo, el anuncio es una declaración de intenciones, no un resultado. ASML usa un lenguaje condicional: la transición 'se espera' que aumente la productividad y reduzca costos. No hay cifras ni plazos concretos. La adopción de High NA EUV para DRAM está 'planificada', no confirmada como producción en volumen.

El verdadero indicador será la inversión en infraestructura de máscaras y la primera línea de producción con High NA EUV. Si Samsung logra integrar esta tecnología antes que sus competidores, podría redefinir el equilibrio en memoria avanzada. Si los costos o la complejidad retrasan la adopción, la alianza quedará como una promesa estratégica sin impacto inmediato.

Qué seguir

El primer anuncio de una línea de producción de DRAM con High NA EUV por parte de Samsung, o la publicación de métricas de productividad de las máscaras de mayor tamaño.